图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FJY3013R 

产品描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

内部编号

3-FJY3013R

#1

期货
12000 ¥0.242

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FJY3013R产品详细规格

文档 Mold Compound 20/Aug/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 56 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 250MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-89, SOT-490
供应商器件封装 SOT-523F
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SOT-523F
标准包装名称 SOT-523F
最小直流电流增益 56@5mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 2.2
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.3@0.5mA@10mA
最大功率耗散 200
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
类型 NPN
典型电阻器比率 0.047
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
频率 - 转换 250MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 2.2k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SOT-523F
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 200mW
标准包装 3,000
封装/外壳 SC-89, SOT-490
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 56 @ 5mA, 5V
其他名称 FJY3013RTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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